SIRIUS? 高動(dòng)態(tài)范圍模塊（雙核）–2x 24 Bit，200 kS/s
這種新技術(shù)解決了我們經(jīng)常遇到的問(wèn)題——信號(hào)超出所設(shè)定的量程而導(dǎo)致削波。DEWESoft雙核ADC技術(shù)保證用戶(hù)總是能夠使用最佳量程，因?yàn)樾盘?hào)經(jīng)由高、低兩個(gè)不同增益的放大器同時(shí)進(jìn)行測(cè)量！
·聲音和振動(dòng)
·沒(méi)有過(guò)載錯(cuò)誤（不會(huì)削波）
·適用于高動(dòng)態(tài)范圍傳感器：聲學(xué)傳感器，加速度計(jì)，應(yīng)變計(jì)等
SIRIUSm 4xACC | ||
| 模擬輸入 | 4通道電壓/IEPE/電流（使用外部SHUNT電阻） |
ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±10 V（500 mV），±500 mV（NA） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS （雙核） | 140 dB（160 dB） | |
輸入耦合 | DC，AC 0.1Hz，1 Hz（3Hz，10Hz，軟件程控可選） | |
輸入阻抗 | 1 MΩ in parallel with 0.4nF | |
IEPE模式 | 4/8mA 激勵(lì)；傳感器檢測(cè)（短路：<4 V； 開(kāi)路：> 19 V） | |
TEDS | IEPE 模式下支持 | |
過(guò)壓保護(hù) | 50 V 連續(xù)； 200 V 峰值（10msec） | |
功耗（max.） | 4 W，USB 供電（2個(gè)USB 線(xiàn)纜） | |
SIRIUSm 3xACC，1xACC+ | ||
| 模擬輸入 | 4通道電壓/IEPE/電流（使用外部SHUNT電阻） |
與SIRIUSm 4xACC規(guī)格相同，增加1通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 1通道計(jì)數(shù)器/3個(gè)數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25V連續(xù) | |
數(shù)字輸出 | 1通道集電極開(kāi)路，max.100mA/30V | |
功耗 （max.） | 4 W，USB供電（2根USB線(xiàn)纜） | |
SIRIUSi 8xACC SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/IEPE/電流 （使用外部SHUNT電阻） |
ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma 雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±10 V（500 mV），±500 mV （NA） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 140 dB（160 dB） | |
輸入耦合 | DC，AC0.1Hz，1Hz（3 Hz，10 Hz，軟件程控可選） | |
輸入阻抗 | 1 MΩ in parallel with 0.4nF | |
IEPE模式 | 4/8 mA 激勵(lì)； 傳感器檢測(cè)（短路：<4 V； 開(kāi)路：> 19 V） | |
TEDS | IEPE 模式下支持 | |
過(guò)壓保護(hù) | 50V連續(xù)；200 V 峰值（10msec） | |
典型功耗（max.） | 8 W（15W） | |
SIRIUSi 6xACC，2xACC+ SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/IEPE/電流（使用外部SHUNT電阻） |
與SIRIUSi 8xACC規(guī)格相同，增加2通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 2通道計(jì)數(shù)器/6個(gè)數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25 V 連續(xù) | |
數(shù)字輸出 | 2通道集電極開(kāi)路，max. 100mA/30V | |
典型功耗 （max.） | 8 W（15 W） | |
SIRIUS? 高動(dòng)態(tài)范圍模塊（雙核）–2x 24 Bit，200 kS/s
SIRIUSi 8xCHG SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/IEPE/電荷/電流 （使用外部SHUNT電阻） |
ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma 雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步 200 kS/sec | |
電荷模式量程（低量程） | ±100 000 pC（5000 pC），±10 000 pC（500 pC） | |
雙核模式量程（低量程） | ±10 V（500 mV），±500 mV（NA） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 140 dB（160 dB） | |
輸入耦合 | DC，AC（0.1Hz，1Hz，10Hz或100 Hz） | |
輸入阻抗 | 1MΩ in parallel with 0.4nF | |
IEPE模式 | 4/8 mA激勵(lì)；傳感器檢測(cè)（短路：<4Volt；開(kāi)路： >19V） | |
TEDS | IEPE模式下支持 | |
過(guò)壓保護(hù) | 50V連續(xù)；200 V峰值（10msec） | |
典型功耗（max.） | 10 W（18 W） | |
SIRIUSi 6xCHG，2xCHG+ SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/IEPE/電荷/電流（使用外部SHUNT電阻） |
與SIRIUSi 8xCHG規(guī)格相同，增加2通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 2通道計(jì)數(shù)器/6數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25 V 連續(xù) | |
數(shù)字輸入 | 2通道集電極開(kāi)路，max. 100mA/30V | |
典型功耗（max.） | 10 W（18W） | |
SIRIUSi 8xHV SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/電流 （使用外部SHUNT電阻） |
ADC 類(lèi)型 | 24delta-sigma雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 連續(xù)200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±1200 V（50 V），±50 V（NA） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 142 dB（158 dB） | |
輸入耦合 | DC | |
輸入阻抗 | 10 MΩ in parallel 2pF | |
過(guò)壓保護(hù) | In+ 和In-之間：1.8 kV RMS，Inx與地之間：1.4 kV RMS | |
典型功耗（max.） | 8W | |
SIRIUSi 8xLV SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/全橋應(yīng)變/電流 （使用外部SHUNT電阻） |
ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma 雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±200V（10V），±10V（500mV），±1V（50mV），±100 mV（5mV） | |
應(yīng)變輸入量程 @ 10Vexc（低量程） | 1000（50）mV/V，100（5）mV/V，10（0.5） mV/V | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 137dB（152dB） | |
輸入耦合 | DC，AC 1Hz （3Hz，10Hz，軟件程控可選） | |
輸入阻抗 | （100V量程） IN+或In-對(duì) GND：10 （1） MΩ | |
橋路模式 | 全橋應(yīng)變 | |
TEDS | 標(biāo)準(zhǔn)+ DSI? 適配器，僅支持DSUB 9接頭 | |
傳感器激勵(lì) | 2 ~ 30 V雙極性/ 0 ~ 24V單極性軟件程控（16 bit DAC），最大0，2 A /2W | |
過(guò)壓保護(hù) | 200V和20V量程：300V；其他量程：100V （250V峰值10 msec） | |
典型功耗 （max.） | 10W（25 W） | |
*僅BNC或Banana接口型支持無(wú)風(fēng)扇版（不提供激勵(lì)電壓） | ||
SIRIUS? 高動(dòng)態(tài)范圍模塊（雙核）–2x 24 Bit，200 kS/s
SIRIUSi 4xHV，4xLV SIRIUSie | ||
| ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 |
采樣率 | 同步200 kS/sec | |
典型功耗（max.） | 10W（18W） | |
高壓輸入通道 | 4通道電壓 | |
雙核模式量程（低量程） | ±1200 V（50 V），±50 V（NA） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 142 dB（158 dB） | |
輸入耦合 | DC | |
輸入阻抗 | 10 MΩ in parallel 2pF | |
過(guò)壓保護(hù) | In+與In-之間：1.8kV RMS，Inx與地之間：1.4kV RMS | |
低壓模擬輸入 | 4通道電壓/全橋應(yīng)變/電流（使用外部SHUNT電阻） | |
雙核模式量程（低量程） | ±200 V（10 V），±10 V（500 mV），±1V（50 mV），±100 mV（5 mV） | |
應(yīng)變輸入量程@ 10Vexc（低量程） | 2mV/V…1000mV/V，程控可選（雙核） | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 137dB（152dB） | |
輸入耦合 | DC，AC 1Hz（3Hz，10Hz，軟件程控可選） | |
輸入阻抗 （100 V 量程） | IN+或In-對(duì)GND：10（1）MΩ | |
橋路模式 | 全橋應(yīng)變 | |
TEDS | 標(biāo)準(zhǔn)+ DSI? 適配器，僅支持DSUB 9 | |
傳感器激勵(lì) | 2~30V雙極/0~24V單極，軟件程控（16 bit DAC），最大0，2A/2 W | |
過(guò)壓保護(hù) | 200V和20V量程：300 V；其他量程：100V（250V峰值10 msec） | |
SIRIUSi 8xLV+ SIRIUSie | ||
| 輸入通道 | 8通道電壓/全橋應(yīng)變/電流（使用外部SHUNT電阻） |
輸入電平類(lèi)型 | 與SIRIUSi 8xLV規(guī)格相同，增加8通道計(jì)數(shù)器 | |
數(shù)字輸入 | 8通道計(jì)數(shù)器/24個(gè)數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25 V連續(xù) | |
數(shù)字輸入 | 8通道集電極開(kāi)路，max.100mA/30V | |
典型功耗（max.） | 10W（25W） | |
*僅BNC或Banana接口型支持無(wú)風(fēng)扇版（不提供激勵(lì)電壓） | ||
SIRIUSi 8xMULTI 模擬輸入、模擬輸出、計(jì)數(shù)器完全同步！ | ||
| 模擬輸入 | 8 通道電壓/全橋/半橋/橋應(yīng)變/電流 （使用外部電阻）/電位計(jì) |
ADC類(lèi)型 | 224位delta-sigma 雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步 200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±10V（500mV），±1V（50 mV），±100mV（5mV），±50mV （2.5mV） | |
應(yīng)變輸入量程 @ 10Vexc（低量程） | 1000（50）mV/V，100（5）mV/V，10（0.5）mV/V，5（0.25）mV/V | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 137 dB （152 dB） | |
輸入耦合 | DC | |
輸入阻抗 | 10 MΩ | |
橋路模式 | 全橋/半橋/ ?橋應(yīng)變（120/350Ω，34線(xiàn)制）；集成內(nèi)部組橋電阻 | |
內(nèi)部SHUNT校準(zhǔn)電阻 | 99.88 kΩ，雙極性至 Exc+或 Exc- （其他可定制） | |
TEDS | 支持 | |
激勵(lì)電壓 | 0 ~ 12VDC程控可調(diào)（16Bit DAC），最大：44mA | |
過(guò)壓保護(hù) | In+至In-： 50V連續(xù)； 200V峰值（10msec） | |
典型功耗（max.） | 15W（25W） | |
數(shù)字輸入 | 8通道計(jì)數(shù)器/24個(gè)數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
模擬輸出 | 8通道24 bit sigma delta 200 kHz，±10V | |
典型功耗（max.） | 15W（25W） | |
SIRIUS? 高動(dòng)態(tài)范圍模塊（雙核）– 2x 24 Bit，200 kS/s
SIRIUSi 8xSTG SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流 （使用外部電阻）/電阻/溫度/電位計(jì) |
ADC類(lèi)型 | 24位delta-sigma雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步200 kS/sec | |
雙核模式量程（低量程） | ±50V（2.5V），±10V（500mV），±1V（50mV），±100mV（5mV） | |
應(yīng)變輸入量程@ 10Vexc（低量程） | 1000（50）mV/V，100（5）mV/V，10（0.5）mV/V | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 137dB（152dB） | |
輸入耦合 | DC，AC 1Hz（3Hz，10Hz ，軟件程控可選） | |
輸入阻抗 | In+ 和 In-之間 1 MΩ @ 50 V 量程 ； 其他量程 > 1 GΩ | |
橋路模式 | 全橋/半橋/?橋應(yīng)變（120/350Ω，3\4線(xiàn)制）； 集成內(nèi)部組橋電阻 | |
內(nèi)部SHUNT校準(zhǔn)電阻 | 59.88 kΩ ，175 kΩ，雙極性至Exc+ 或 Exc-（其它可定制） | |
TEDS | 支持，SIRIUSi 8xSTG-L2B7f模塊除外 | |
DSI? 適配器僅支持9針DSUB接口 | ||
激勵(lì)電壓 | 0 ~ 20VDC程控可調(diào)（16 Bit DAC），最大：0，1A/ 0，8W | |
激勵(lì)電流 | 0 ~ 60 mA程控可調(diào)（16Bit DAC），最大：500 mW | |
過(guò)壓保護(hù) | 50V量程：300V；其他量程：50V（200V峰值10msec） | |
數(shù)字輸入 | SIRIUSi 8xSTG：無(wú)SIRIUSi 8xSTG-L2B10f：，單獨(dú)1針用于數(shù)字I/O->總計(jì)8個(gè)數(shù)字I/O（集電極開(kāi)路） | |
典型功耗（max.） | 15W（25 W） | |
SIRIUSi 8xSTG+ SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流 （使用外部電阻）/電阻/溫度/電位計(jì) |
與SIRIUSi 8xSTG 規(guī)格相同，增加8通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 8通道計(jì)數(shù)器/24數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25V連續(xù) | |
數(shù)字輸出 | 8通道集電極開(kāi)路，max.100mA/30V | |
SIRIUSi 6xSTG，2xSTG+ SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流 （使用外部電阻）/電阻/溫度/電位計(jì) |
與SIRIUSi 8xSTG 規(guī)格相同，增加2通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 2通道計(jì)數(shù)器/6數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25 V 連續(xù) | |
數(shù)字輸出 | 2 ch open collector，max.100 mA/30 V | |
SIRIUS? 高動(dòng)態(tài)范圍模塊（雙核）–2x 24 Bit，200 kS/s
SIRIUSi 8xSTGM SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流（使用外部電阻）/電位計(jì) |
ADC 類(lèi)型 | 24位delta-sigma 雙核，內(nèi)置抗混疊濾波器 | |
采樣率 | 同步200 kS/sec版本；20 kS/sec版本 | |
雙核模式量程（低量程） | ±10V（500 mV），±1V（50 mV），±100mV（5 mV），±10mV（0.5 mV） | |
應(yīng)變輸入量程 @10Vexc（低量程） | 1000（50）mV/V，100（5mV/V，10（0.5）mV/V，1（0.05）mV/V | |
動(dòng)態(tài)范圍@10kS（雙核） | 137 dB（152 dB） | |
輸入耦合 | DC | |
輸入阻抗 | 10 MΩ | |
橋路模式 | 全橋/半橋/?橋應(yīng)變（120/350Ω，3線(xiàn)制）； 集成內(nèi)部組橋電阻 | |
內(nèi)部SHUNT校準(zhǔn)電阻 | 100 kΩ，雙極性至 Exc+或 Exc-（其他可定制） | |
TEDS | 支持DSI? 適配器僅支持 9針 DSUB接口 | |
激勵(lì)電壓 | 0 ~ 15 VDC 程控可調(diào)（16 Bit DAC），最大：44mA | |
過(guò)壓保護(hù) | In+ 至 In-：50V 連續(xù)；200 V 峰值（10msec） | |
典型功耗（max.） | 11W（20W） | |
SIRIUSi 8xSTGM+ SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8 通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流（使用外部電阻）/電位計(jì)與 SIRIUSi 8xSTGM規(guī)格相同，增加8通道計(jì)數(shù)器 |
與 SIRIUSi 8xSTGM 規(guī)格相同，增加8通道計(jì)數(shù)器 | ||
數(shù)字輸入 | 8通道計(jì)數(shù)器/24數(shù)字輸入，與模擬通道完全同步 | |
輸入電平類(lèi)型 | CMOS，LVTTL | |
輸入電壓保護(hù) | ±25 V 連續(xù) | |
數(shù)字輸出 | 8通道集電極開(kāi)路，max. 100mA/30V | |
典型功耗（max.） | 11W（20W） | |
SIRIUSi 8xSTGM-DB SIRIUSie | ||
| 模擬輸入 | 8 通道電壓/全橋/半橋/?橋應(yīng)變/電流（使用外部電阻）/電位計(jì) |
與 SIRIUSi 8xSTGM 規(guī)格相同，增加數(shù)字I/O通道 | ||
數(shù)字輸入 | 8 計(jì)數(shù)器/24數(shù)字輸入，DSUB 37針接口，與模擬通道完全同步 | |
數(shù)字輸出 | 8 通道，DSUB 25 針接口，高邊開(kāi)關(guān)接至電源，最大150mA/ch電流可直接驅(qū)動(dòng)繼電器，帶短路保護(hù)功能 | |
典型功耗（max. | 12W（26W） | |
